同関係者は、サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンテクノロジーなどの大手企業に追いつくのは難しいが、中国政府が認めたと明らかにした。 国内大手DRAMメーカーであるChangxin Memory Technologies (CXMT)はHBMにとって最大の期待だが、製品の市場投入には最大4年かかる可能性がある。
CXMTや他の中国のチップメーカーが継続を決めた場合、世界中で需要の高いDRAMを製造するためにそれほど高度ではない技術を使用する必要がある。
世界市場シェアの約50％を占める韓国企業であるSK Hynixは、2021年10月からHBMを開発し、2022年6月に大規模生産を開始した。SK Hynixは宣伝資料の中で、HBM技術を「レベル4および5の前提条件」と呼んでいる。自動運転車における自動運転技術。」
テクノロジーコンサルティング会社によると トレンドの強さHBM チップは、帯域幅制限によるメモリ内データ転送速度の制限を克服するための推奨ソリューションであるため、2023 年には HBM チップの需要が 60% 近く増加すると予想されています。
SKハイニックスは先週、AIアプリケーション向けの次世代ハイエンドDRAMであるHBM3Eの開発に成功し、性能評価のために顧客にプロトタイプを提供したと発表した。 量産は、AMD、Nvidia などの顧客とともに 2024 年前半に行われる予定です。
Nvidia は、HBM チップを使用して GPU とメモリ スタック間のデータ転送を高速化することで、新しい業界標準を確立しました。 これは、毎秒 3 テラバイトのメモリ帯域幅を提供する HBM3 システムを搭載した H100 グラフィックス チップによってのみ求められます。
HBM はメモリ チップを垂直に積み重ね、情報間の移動距離を短縮します。 これらのメモリ タワーは、「インターポーザー」と呼ばれる非常に高速な接続を介して CPU または GPU に接続します。
SK Hynix に加えて、HBM 分野のリーダーは Samsung Electronics と Micron Technology です。 業界の専門家によると、HMB チップの製造には、その高性能にもかかわらず、必ずしも EUV のような高度なリソグラフィー技術が必要ではありません。 したがって、中国は最新の設備がなくても独自のバージョンを生産できる。 中国には、Changjiang Electronics Technology など、高密度パッケージングの比較的先進的な企業が多数あります。
メモリーチップコントローラー会社幹部は「ＨＭＢの生産にＣＸＭＴが関わっても不思議ではない」と話す。 同氏は、CXMTが同業界の競合他社よりも数世代遅れて、17nmまたは19nmプロセスでDRAMを製造できると信じている。
(SCMPより)
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